硅晶圆
芯片“瘦身”的关键一步
Silicon wafer (backside thinning)
硅晶圆（背面减薄）
芯片“瘦身”的关键一步
在芯片制造完成后，需要从其背面去除数百微米的材料，使其从厚实的“晶圆”变为轻薄的“芯片”。这一过程就是背面减薄，它直接决定了最终芯片的厚度、性能和可靠性。
背面减薄为何不可或缺
实现芯片轻薄化：这是制造用于手机、平板、智能手表等便携设备超薄芯片的必经之路
优化电气与热性能：薄型化有利于热量从芯片正面（电路面）向背面传导，提升散热能力，同时降低导通电阻
适应先进封装：对于堆叠封装（如PoP）和硅通孔（TSV）技术，晶圆必须被减薄至100μm甚至50μm以下
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杭州芯研科的技术优势
从硅到碳化硅，从晶圆到衬底，我们以尖端技术，为您的薄化工艺注入出色竞争力
01
稳定的阶梯高度控制
针对减薄后可能出现的边缘塌边、中心凹陷等问题，我们提供定制化的砂轮轮廓和磨削工艺方案，确保整个晶圆厚度均匀一致
02
优异的表面粗糙度
我们的精磨砂轮能在一次磨削中达成极佳的镜面效果，减少或省去抛光工序，缩短工艺流程
03
强大的客户工艺支持
我们不仅是砂轮供应商，更是工艺伙伴。我们的技术团队能为您提供从设备参数调试到良率提升的全套解决方案。
杭州芯研科硅基精磨砂轮减薄硅晶圆后表面损伤层
复合造孔协同技术开发
