碳化硅衬底
下一代功率半导体的核心
Thin reduction of silicon carbide substrate
碳化硅衬底减薄
下一代功率半导体的核心
碳化硅是制造高温、高频、高压功率器件（如电动汽车的主逆变器、快速充电桩、轨道交通的变流器）的理想衬底材料。其硬度极高，加工难度极大。
衬底减薄为何是技术瓶颈？
释放材料潜能：碳化硅衬底初始厚度较大，减薄是降低器件导通电阻、减少开关损耗的必要手段
应对“硬脆”挑战：碳化硅硬度仅次于金刚石，且脆性高，传统砂轮易导致材料崩边、裂纹，良率极低
决定成本效益：高效的碳化硅减薄砂轮是降低整个碳化硅器件成本、推动其大规模应用的关键
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杭州芯研科的技术优势
从硅到碳化硅，从晶圆到衬底，我们以尖端技术，为您的薄化工艺注入出色竞争力
01
专为极致硬度设计
我们采用高纯度、高强度的金刚石磨料和特殊的结合剂体系，确保砂轮在加工碳化硅时具有极长的寿命和稳定的磨削能力
02
革命性的损伤层控制技术
通过结合剂与磨料的协同优化设计，我们实现了对碳化硅的衬底的精密磨削，将亚表面损伤降至最低
03
高性价比解决方案
我们砂轮的长寿命和高稳定性，能显著减少换刀频率和停机时间，帮助您有效控制碳化硅衬底的制造成本
磨料刻蚀预处理
磨料镀覆预处理
