碳化硅晶圆
让功率器件“轻装上阵”
Silicon carbide wafer (back thinning)
碳化硅晶圆（背面减薄）
让功率器件“轻装上阵”
在碳化硅器件制造完成后，如同硅晶圆一样，需要对其进行背面减薄，以进一步提升器件的电流容量和散热效率，满足电动汽车、新能源等领域对功率密度和可靠性的严苛要求。
背面减薄为何极具挑战？
超高的破片风险：碳化硅晶圆在减薄至100μm以下时，脆性极高，对砂轮的切削力和应力控制要求极为苛刻
表面完整性要求：减薄后的表面必须无宏观裂纹和深层次的微裂纹，否则会严重影响器件的长期可靠性
工艺效率与成本的平衡：如何在保证良率的同时，提升加工效率，是碳化硅产业化面临的核心问题
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杭州芯研科的技术优势
从硅到碳化硅，从晶圆到衬底，我们以尖端技术，为您的薄化工艺注入出色竞争力
01
超精密应力管理
我们的减薄砂轮通过优化设计，实现了“轻柔”切削，将磨削过程中的机械应力分散，极大降低了薄化碳化硅晶圆的破片率
02
兼顾效率与质量
我们提供粗、精磨组合的砂轮方案，既能快速去除余量，又能在精磨阶段获得无损的优质表面，实现高效高质生产
03
创新的专利技术
金属有机框架材料（Cu-MOF）创新性引入陶瓷结合剂体系。通过优化配比与工艺参数，使Cu-MOF在结合剂中均匀分散，形成独特的纳米级网络结构。
04
全面的解决方案提供商
我们深入理解碳化硅材料特性，能为您匹配最适合的砂轮粒度、浓度和结合剂类型，成为您攻克碳化硅减薄工艺难题的可靠伙伴
MOF结合剂金刚石砂轮的微观气孔结构图
杭州芯研科碳化硅精磨砂轮减薄碳化硅晶圆后表面损伤层
